2026-01-12
國祥新視界
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隨著半導體測試腳位增加、pitch 縮小,高密度探針卡的幾何一致性直接影響接觸穩定度與測試良率。傳統顯微鏡量測存在視野有限、抽樣風險高、依賴經驗等問題,容易漏掉局部或群組異常。工程現場需要的不再是單點測量,而是判讀整體結構是否一致。3D 輪廓量測能完整掌握針尖高度分佈與相對關係,降低抽樣風險,提升良率,並將判斷從經驗導向轉為數據導向,廣泛應用於半導體、IC 封裝、PCB、光電面板、MEMS 及材料科學等領域。
隨著半導體測試腳位數提升與 pitch 持續縮小,高密度探針卡(垂直式探針卡 Vertical Probe Card / 微機電探針卡 MEMS Probe Card)的幾何一致性,已直接影響接觸穩定度與測試良率。針尖高度分佈、局部翹曲或系統性偏移,若無法被完整掌握,往往在量產後才浮現問題。
傳統工具顯微鏡以「局部、抽樣、人工判讀」為核心,在高密度情境下逐漸暴露三大限制:
拼湊的視野,難窺全貌

工程現場真正需要的,早已不是「量得到某一點」,而是「判讀整體結構是否一致」。在高密度結構中,測試穩定度更取決於同層針尖的相對高度關係與分佈趨勢,而非單點的絕對數值。若只依賴局部量測,反而容易將整體姿態誤判為個別缺陷。

3D 輪廓量測正是在此背景下成為關鍵技術。透過完整的高度分佈資料,可將全區結構納入同一基準進行比較,讓工程判讀從經驗導向,轉為數據導向。
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高密度探針卡量測,為何必須走向 3D 輪廓分析?
我們不滿足普通,挑戰每個極限,突破每個障礙,確保每次「量測」都是最高水準
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6則留言
黃文揚
2026/01/12
也不錯
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小貓
2026/01/12
感謝分享,受益良多
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玲
2026/01/12
謝謝分享
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如
2026/01/12
謝謝分享
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ru
2026/01/12
good
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雲
2026/01/12
了解
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